TWINMOS MDD3L4GB1600N 4 GB DDR3‑1600 MHz 1.35 V (Low Voltage) CL11 SO‑DIMM Notebook Bellek Modülü
TWINMOS MDD3L4GB1600N 4 GB DDR3‑1600 MHz 1.35 V CL11 SO‑DIMM Notebook Bellek Modülü
TWINMOS MDD3L4GB1600N modeli, düşük voltajlı (1.35 V) DDR3‑1600 MHz bellek arayanlar için ideal bir notebook RAM çözümüdür. CL11 gecikme süresiyle stabil performans sunarken enerji tüketimini düşürür.
| Ürün Kodu | MDD3L4GB1600N |
|---|---|
| Kapasite | 4 GB |
| Bellik Tipi | DDR3 SO‑DIMM |
| Frekans | 1600 MHz (PC3‑12800) |
| Gerilim | 1.35 V (Low Voltage) |
| Gecikme Süresi (CAS Latency) | CL11 |
| Uyumlu Cihaz | Notebook / Dizüstü Bilgisayar |
| Üretim Yeri | Taiwan |
| Garanti Süresi | Ürün ömrü boyunca (minimum 1 yıl) |
Ürün Açıklaması
TWINMOS MDD3L4GB1600N, 4 GB kapasiteye sahip DDR3‑1600 MHz hızında düşük voltajlı (1.35 V) notebook RAM modülüdür. CL11 gecikme süresiyle dengeli performans sağlarken enerji verimliliğini artırır.
1600 MHz frekans sayesinde veri aktarım hızı optimize edilmiştir; standart DDR3‑1600 performansını notebook sistemlerinde stabil şekilde sunar. Low Voltage tasarım, dizüstü bilgisayarlarda daha az ısı üretimi ve daha uzun pil ömrü sağlar.
SO‑DIMM form faktörü, taşıması kolay sistemler için tasarlanmıştır. Yüksek uyumluluk desteği ile birçok notebook modeliyle sorunsuz çalışabilir. JEDEC uyumlu üretimi sayesinde güvenilir bellek performansı sunar.
TWINMOS tarafından uzun yıllardır geliştirilen bellek modül üretim tecrübesi, bu modelde de kalite güvencesi olarak ön plandadır. Uzun ömürlü garanti politikası sayesinde kullanıcı memnuniyeti hedeflenmiştir.
- JEDEC uyumlu DDR3‑1600 MT/s frekansında performans artırımı
- CL11 CAS gecikme ile hızlı veri erişim süresi
- 1.35 V düşük voltaj ile enerji tasarrufu sağlanır
- 204‑pin SO‑DIMM form faktörü, dizüstü bilgisayarlara uyumlu
- Non‑ECC, unbuffered yapı ile geniş uyumluluk