4 GB DDR3 1600MHZ TWINMOS 1.35 CL11 NB MDD3L4GB1600N
TWINMOS 4 GB DDR3‑1600 CL11 1.35 V 204‑Pin SO‑DIMM Notebook Bellek Modülü (MDD3L4GB1600N)
TWINMOS MDD3L4GB1600N, 4 GB kapasite ile temel sistem performansını güçlendirmek amacıyla tasarlanmış düşük voltaj (1.35 V) DDR3‑1600 SO‑DIMM modüldür.
| Ürün Adı | MDD3L4GB1600N |
|---|---|
| Kapasite | 4 GB |
| Tip | DDR3‑1600 MT/s (PC3‑12800) |
| CAS Gecikme | CL11 |
| Voltaj | 1.35 V (DDR3L Low‑Voltage) |
| Form Faktör | 204‑pin SO‑DIMM |
| ECC | Non‑ECC, unbuffered |
| Uyumluluk | DDR3L destekli laptoplar |
| Garanti | 2 yıl üretici/satıcı garantisi |
Ürün Açıklaması
TWINMOS MDD3L4GB1600N bellek, 1600 MT/s hız ve CL11 CAS gecikme ile internet, ofis uygulamaları ve günlük kullanımda sistem tepki süresini belirgin şekilde iyileştirir. 1.35 V düşük voltajlı DDR3L standardıyla enerji verimliliği sağlar
204‑pin SO‑DIMM form faktörü, çoğu dizüstü bilgisayar ve mini sistemle doğrudan uyumludur. Non‑ECC ve unbuffered tasarımı ev kullanıcıları için ideal stabilite sunar
1.35 V düşük voltaj, hem enerji tasarrufu sağlar hem de sistem ısısını azaltarak batarya ömrünü olumlu etkiler. CL11 zamanlaması, veri transferinde dengeli performans sunar .
Çalışma sıcaklığı ve dayanıklılık konusunda standart DDR3L ürün özelliklerine karşılık gelir. 2 yıllık garanti ile güvenilir kullanım senaryolarının desteklenmesi amaçlanmıştır
Mevcut RAM'i yükseltmek isteyen kullanıcılar için uygun fiyatlı ve verimli bir çözüm olarak öne çıkan bu modül, özellikle ofis, eğitim ve hafif multimedya ihtiyaçlarında sistem performansını hissedilir şekilde geliştirir.
| Marka | : | 4 |
| Model | : | GB |