HI-LEVEL 512GB SSD m.2 NVMe HLV-M2PCIeSSD2280/512G
Hi-Level 512GB M.2 NVMe PCIe SSD
Hi-Level HLV-M2PCIeSSD2280/512G, M.2 2280 form faktöründe tasarlanmış, PCIe arabirimi üzerinden NVMe protokolü ile iletişim kuran, yüksek hızlı veri aktarımı ve düşük gecikme süresi sağlayan 512GB kapasiteli dahili katı hal sürücüsüdür.
| Teknik Özellik | Detay Tanımı |
|---|---|
| Marka / Model | Hi-Level HLV-M2PCIeSSD2280/512G |
| Kapasite | 512 GB |
| Form Faktörü | M.2 2280 |
| Arayüz / Protokol | PCIe Gen3 x4 / NVMe |
| Sıralı Okuma Hızı | Yaklaşık 2000 MB/s - 2400 MB/s (Bileşen revizyonuna göre değişkenlik gösterebilir) |
| Sıralı Yazma Hızı | Yaklaşık 1200 MB/s - 1700 MB/s (Bileşen revizyonuna göre değişkenlik gösterebilir) |
| Flaş Bellek Tipi | 3D NAND Teknoloji Mimarisi |
| SMART / TRIM Desteği | Mevcut (Donanımsal ve Yazılımsal İzleme / Veri Optimizasyonu) |
| Çalışma Sıcaklığı | 0°C - 70°C |
| Şok Direnci | 1500G / 0.5ms |
Ürün Açıklaması
Hi-Level HLV-M2PCIeSSD2280/512G katı hal sürücüsü, masaüstü bilgisayarlar ve taşınabilir dizüstü bilgisayar sistemlerinin depolama performansını artırmak amacıyla geliştirilmiş yeni nesil bir depolama bileşenidir. Geleneksel SATA tabanlı sabit disklerin ve SSD'lerin fiziksel hız limitlerini aşan PCIe veri yolu mimarisini kullanan bu donanım, NVMe standardı sayesinde işlemci ile doğrudan ve yüksek bant genişliğine sahip bir kanal üzerinden veri alışverişi gerçekleştirir.
512 GB depolama kapasitesi, işletim sistemi dosyalarının, profesyonel mühendislik veya kurgu yazılımlarının ve büyük hacimli veri paketlerinin tek bir sürücü üzerinde barındırılması için yeterli alan sunar. Üründe kullanılan 3D NAND flaş bellek hücre yapısı, dikey katmanlama teknolojisi sayesinde hücreler arası elektriksel parazitleri minimuma indirerek hem veri depolama yoğunluğunu artırır hem de sürücünün genel okuma ve yazma ömrünü uzatır.
M.2 2280 (22 mm genişlik, 80 mm uzunluk) fiziksel boyut standartlarına uygun olarak üretilen SSD, ince gövde yapısı sayesinde ultrabooklar ve kompakt mini PC sistemleri de dahil olmak üzere geniş bir donanım ekosistemi ile tam uyumluluk gösterir. Cihazın mekanik hareketli hiçbir parça barındırmaması, çalışma esnasında tamamen sessiz olmasını sağlar ve sarsıntı ile düşme gibi fiziksel durumlarda veri kaybı riskini ortadan kaldırır.
Performans optimizasyonu süreçlerinde TRIM komut yapısını aktif olarak destekleyen sürücü, işletim sistemi tarafından silinen veri bloklarını arka planda temizleyerek yazma performansının uzun süreli kullanımlarda dahi ilk günkü kararlılıkta kalmasına yardımcı olur. S.M.A.R.T. veri analitiği desteği ise kullanıcının sürücü sağlık durumunu, sıcaklık değerlerini ve kalan ömür istatistiklerini anlık olarak takip etmesine olanak tanır.
- NVMe Protokolü ve Hız: PCIe Gen3 x4 arabirimi üzerinden yüksek sıralı okuma ve yazma hızlarına ulaşarak veri transfer sürelerini kısaltır.
- 3D NAND Flaş Teknolojisi: Yüksek veri yoğunluğu, gelişmiş enerji verimliliği ve uzun süreli hücre dayanıklılığı sağlayan bellek mimarisine sahiptir.
- M.2 2280 Form Faktörü: Anakart üzerindeki standart M.2 yuvalarına doğrudan takılan, harici güç veya veri kablosu gerektirmeyen kompakt yapı sunar.
- Sessiz ve Güvenli Çalışma: Mekanik parça içermeyen katı hal yapısı ile sessiz çalışır, sarsıntılara ve darbelere karşı veri güvenliğini korur.
- Gelişmiş Veri Yönetimi: TRIM ve S.M.A.R.T. komut destekleri ile performans düşüşlerini engeller ve sürücü sağlığının izlenmesini sağlar.
- Düşük Güç Tüketimi: Mobil cihazlarda batarya ömrünü optimize eden, masaüstü sistemlerde ise ısı üretimini minimize eden güç yönetim profiline sahiptir.