Samsung 990 EVO Plus 1TB PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD (MZ-V9S1T0BW)
Samsung 990 EVO Plus 1TB PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD (MZ-V9S1T0BW)
Samsung 990 EVO Plus, vana standardında M.2 2280 form faktörüne sahip, hibrit arayüz desteği ile hem PCIe 4.0 x4 hem de PCIe 5.0 x2 modlarında çalışabilen 1TB kapasiteli yüksek performanslı bir NVMe katı hal sürücüsüdür.
| Özellik | Detay |
|---|---|
| Marka / Model | Samsung 990 EVO Plus / MZ-V9S1T0BW |
| Kapasite | 1 TB (1.000 GB) |
| Form Faktörü | M.2 (2280) |
| Arayüz Standardı | PCIe Gen 4.0 x4 / PCIe Gen 5.0 x2 |
| Protokol | NVMe 2.0 |
| Sıralı Okuma Hızı | 7.150 MB/sn |
| Sıralı Yazma Hızı | 6.300 MB/sn |
| Rastgele Okuma (4KB, QD32) | 850.000 IOPS |
| Rastgele Yazma (4KB, QD32) | 1.390.000 IOPS |
| NAND Flash Tipi | Samsung V-NAND 3bit MLC (TLC) |
| Dram Kontrolcü | DRAM-less (HMB - Host Memory Buffer Destekli) |
| Dayanıklılık Ömrü (TBW) | 600 TBW |
Ürün Açıklaması
Samsung 990 EVO Plus (MZ-V9S1T0BW), yüksek veri transfer hızları ve enerji verimliliğini bir arada sunmak üzere geliştirilmiş yeni nesil bir depolama birimidir. 1TB depolama kapasitesi sunan bu model, yenilikçi bir esneklik sunarak sistem donanımına göre PCIe 4.0 x4 veya PCIe 5.0 x2 veri yolları üzerinden çalışabilir. Bu hibrit arabirim desteği, sürücünün farklı jenerasyondaki anakartlar ve taşınabilir bilgisayar platformları ile yüksek uyumlulukla çalışmasını sağlar.
Sürücü, sıralı okuma süreçlerinde saniyede 7.150 MB, sıralı yazma işlemlerinde ise saniyede 6.300 MB seviyelerine varan yüksek bir veri aktarım performansı sunar. Önceki nesil modellere kıyasla kayda değer bir hız artışı sunan bu değerler; büyük dosya transferleri, 4K/8K video kurgu süreçleri ve yeni nesil oyunların yükleme sürelerinin optimize edilmesi için gerekli teknik altyapıyı karşılar. Ürün, rastgele veri işleme performansında da yüksek IOPS değerlerine ulaşmaktadır.
Enerji tasarrufu mimarisi odaklı tasarlanan donanım, watt başına düşen performans oranını optimize eden gelişmiş bir kontrolcü teknolojisine sahiptir. Yerleşik DRAM birimi bulundurmayan (DRAM-less) bu SSD, sistem belleğini doğrudan kullanan HMB (Host Memory Buffer) teknolojisi sayesinde performans kaybı yaşamadan düşük güç tüketimi gerçekleştirir. Bu yapı, taşınabilir bilgisayar sistemlerinde batarya ömrünün korunmasına doğrudan yardımcı olur.
Isı yönetimi için kontrolcü üzerinde nikel kaplama bir termal dağıtıcı tabaka yer almaktadır. Samsung'un tescilli dinamik termal koruma (Dynamic Thermal Guard) algoritması ile entegre çalışan bu pasif soğutma mimarisi, sürücünün uzun süreli ve yoğun iş yükleri altında dahi optimum çalışma sıcaklıklarında kalmasını sağlayarak termal darboğaza girmesini engeller. Veri güvenliği tarafında ise AES 256-bit donanımsal şifreleme standartlarını destekler.
- Üretici Model Kodu: MZ-V9S1T0BW
- Kapasite Seçeneği: 1TB (Kullanılabilir alan işletim sistemine göre değişiklik gösterebilir)
- Veri Yolu Teknolojisi: PCIe Gen 4.0 x4 / Gen 5.0 x2 Hibrit Arayüz
- Protokol Standardı: NVMe 2.0 revizyonu
- Maksimum Okuma/Yazma: 7150 MB/s Okuma - 6300 MB/s Yazma
- NAND Yapısı: Samsung V-NAND Veri Hücreleri
- Güç Verimliliği Teknolojisi: HMB (Host Memory Buffer) ile optimize edilmiş DRAM-less yapı
- Güvenlik Protokolleri: AES 256-bit Şifreleme, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667)
- Isı Denetimi: Nikel kaplı kontrolcü ve Dynamic Thermal Guard akıllı sıcaklık takibi
- Yazılım Desteği: Sürücü sağlığı, performans testleri ve firmware güncellemeleri için Samsung Magician desteği